Samsung 990 EVO

Ъпгрейд на ежедневната производителност
Производителност Ъпгрейд до бърза скорост на последователно четене до 5 000 MB/s, което е с 43% по-бързо от предишния модел. | ![]() |
![]() | Енергийна ефективност С до 70% по-висока енергийна ефективност в сравнение с предишния модел, поддържаща модерен режим на готовност и дълъг живот на батерията. |
Гъвкавост Повишете ежедневната производителност в игрите, бизнеса и творческата работа със съвместимост с PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2. | ![]() |

Изпреварваща скорост
990 EVO предлага повишена скорост на последователно четене/запис до 5000/4200 MB/s и скорост на произволно четене/запис до 700 хил./800 хил. IOPS, като достига до 43% по-висока скорост в сравнение с 970 EVO Plus 2TB. Намалете чакането при игрите и получете бърз достъп до големи файлове.

Интелигентно топлинно решение
Топлоразпределителният стикер на 990 EVO спомага за термичния контрол на NAND чипа. Авангардният алгоритъм за топлинен контрол на Samsung, съчетан с функцията Dynamic Thermal Guard, осигурява едновременно постоянна и надеждна производителност. Дръжте производителността си нагорещена до червено, а не устройството си.
Tech specs:
General Feature
- Application Client PCs
- Rated Capacity 2,000GB
- Form Factor M.2 (2280)
- Interface PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- Dimension (WxHxD) 80 x 22 x 2.38 mm
- Weight Max 9.0g
- Storage Memory Samsung V-NAND TLC
- Controller Samsung in-house Controller
- Cache Memory HMB(Host Memory Buffer)
Special Feature
- TRIM Support Supported
- S.M.A.R.T Support Supported
- GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
- Encryption Support AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- WWN Support Not supported
- Device Sleep Mode Support Yes
Performance
- Sequential Read Up to 5,000 MB/s
- Sequential Write Up to 4,200 MB/s
- Random Read (4KB, QD32) Up to 700,000 IOPS
- Random Write (4KB, QD32) Up to 800,000 IOPS
- Random Read (4KB, QD1) Up to 20,000 IOPS
- Random Write (4KB, QD1) Up to 90,000 IOPS
- TBW 1200TBW
Environment
- Average Power Consumption (system level) Average: Read 4.9 W / Write 4.5 W
- Power consumption (Idle) Typical 60 mW
- Power Consumption (Device Sleep) Typical 5 mW
- Allowable Voltage 3.3 V ± 5 %
- Reliability (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Operating Temperature 0 - 70 ℃ Operating Temperature
- Shock 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
JAR Computers може да предложи ремонт/смяна/монтаж в наш сервиз или при партньор.
Виж още SSD дискове Samsung
Виж всички SSD дискове в категорията
Капацитет: | 2000 GB |
---|---|
Интерфейс: | NVMe |
Монтаж: | Вътрешни |
Размер: | M.2 (2280) |
- 5
- 4
- 3
- 2
- 1
Памет SSD 2TB Silicon Power UD85, NVMe, M.2 (2280), скорост на четене до 3600MB/s, скорост на запис до 2800MB/s298.49 лв
/152.61 €
Памет SSD 480GB Intel SSD DC S4500 Series, SATA 6Gb/s, 2.5"(6.35 cm), скорост на четене 500MB/s, скорост на запис 330MB/s298.50 лв
/152.62 €
Памет SSD 2TB, Intenso TX800, USB 3.2 Gen 2x2, външна, скорост на четене и запис до 2100MB/s299.10 лв
/152.93 €