Samsung M471B1G73EB0-YK
Технология на паметта: DDR3 SDRAM
Капацитет на устройство за съхранение на данни: 8 GB
Форм фактор на паметта: SODIMM 204-pin
Количество модули памет: 1
Предлага метод за проверка за грешки: Non-ECC
Скорост/честота на паметта: 1600MHz (PC3-12800)
Облицовка с олово: Gold
CAS латентност: CL11
TRCD: 11
TRP: 11
Характеристики на паметта: Небуферирана
Съвместими устройства: Лаптоп
Условия за експлоатация
Номинално захранващо напрежение: 1.35 V
Виж още Лаптоп Памети Samsung
Виж всички Лаптоп Памети в категорията
Технология на паметта: DDR3 SDRAM
Капацитет на устройство за съхранение на данни: 8 GB
Форм фактор на паметта: SODIMM 204-pin
Количество модули памет: 1
Предлага метод за проверка за грешки: Non-ECC
Скорост/честота на паметта: 1600MHz (PC3-12800)
Облицовка с олово: Gold
CAS латентност: CL11
TRCD: 11
TRP: 11
Характеристики на паметта: Небуферирана
Съвместими устройства: Лаптоп
Условия за експлоатация
Номинално захранващо напрежение: 1.35 V
JAR Computers може да предложи ремонт/смяна/монтаж в наш сервиз или при партньор.
Виж още Лаптоп Памети Samsung
Виж всички Лаптоп Памети в категорията
Технически характеристики
| Тип: | DDR3L SO-DIMM |
|---|---|
| Капацитет: | 8 GB |
Добави Ревю / Въпрос
Оцени продукта или задай въпрос?
- 5
0 ревюта
- 4
0 ревюта
- 3
0 ревюта
- 2
0 ревюта
- 1
0 ревюта
Свързани продукти
Памет 512MB DDR2 533Mhz, SO DIMM15.65 лв
/8.00 €
Памет 4GB DDR3, 1600MT/s, SO-DIMM, Silicon Power SP004GBSTU160N02, 1.5V19.25 лв
/9.84 €
Памет 4GB DDR3L, 1600MT/s, SO-DIMM, Silicon Power SP004GLSTU160N02, 1.35V19.25 лв
/9.84 €