SSD 1TB Samsung 970 EVO Plus, NVMe, M.2 (2280), скорост на четене 3500 MB/s, скорост на запис 3300 MB/s

Винаги развива SSD

Крайната производителност, подобрена. По-бързо от 970 EVO, 970 EVO Plus се захранва от последната технология на Samsung V-NAND и оптимизация на фърмуера. Това максимизира потенциала на NVMe честотната лента за превъзходно изчисление. В капацитет до 2TB, с надеждност до 1200 TBW.

Ниво на изпълнение

970 EVO Plus може да достигне последователни скорости на четене / запис до 3,500 / 3,300 MB / s, до 57% по-бързо от 970 EVO. Най-новият V-NAND на Samsung, който носи по-голяма производителност на NAND и по-висока енергийна ефективност, заедно с оптимизирания фърмуер, доказан контролер Phoenix и Intelligent TurboWrite ускорява скоростите.

Гъвкавост на дизайна

Следващият напредък в NVMe SSD. 970 EVO Plus се побира до 2TB върху компактния M.2 (2280) форм-фактор, като значително увеличава капацитета за съхранение и спестява място за други компоненти. Иновативната технология на Samsung ви дава възможност да правите повече и да постигате повече.

Изключителна издръжливост

Новият стандарт в устойчивото представяне. Получете до 1 200 TBW4 с 5-годишна ограничена гаранция за дълготрайна работа. 970 EVO Plus осигурява изключителна издръжливост, задвижвана от най-новата технология V-NAND и качеството на Samsung.

Ненадмината надеждност

Постигнете ново ниво на увереност при шофиране. Усъвършенстваният никелов контролер и разпръсквачът на топлина на 970 EVO Plus на Samsung осигуряват забележително разсейване. Dynamic Thermal Guard автоматично следи и поддържа оптимални работни температури, за да минимизира спада на производителността.


Обща характеристика

Приложение
Клиентски компютри
Капацитет
1000 GB (1 GB = 1 милиард байта от IDEMA) * Действителният използваем капацитет може да бъде по-малък (поради форматиране, разделяне, операционна система, приложения или по друг начин)
Форм фактор
М.2 (2280)
интерфейс
PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
Размери (ШхВхД)
80,15 х 22,15 х 2,38 (мм)
тегло
Макс. 8,0 g Тегло
Памет за съхранение
Samsung V-NAND 3-битов MLC
контрольор
Samsung Phoenix контролер
Кеш-памет
Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM

Специално свойство

Поддръжка на TRIM
Поддържани
S.M.A.R.T Support
Поддържани
GC (събиране на боклука)
Автоматичен алгоритъм за събиране на боклука
Поддръжка за шифроване
AES 256-битово шифроване (клас 0) TCG / Opal IEEE1667 (криптирано устройство)
WWN поддръжка
Не се поддържа
Поддръжка за режим на икономичен режим на устройството
да

производителност

Последователно четене
До 3,500 MB / s * Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурацията
Последователно записване
До 3,300 MB / s * Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурацията
Случайно четене (4KB, QD32)
До 600 000 IOPS * Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
Произволно записване (4KB, QD32)
До 550,000 IOPS * Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
Случайно четене (4KB, QD1)
До 19 000 IOPS * Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
Произволно записване (4KB, QD1)
До 60 000 IOPS * Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата

Заобикаляща среда

Средна консумация на енергия (системно ниво)
* Средно: 6 W * Максимум: 9 W (режим Burst) * Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
Консумация на енергия (неактивен)
Макс. 30 mW * Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
Допустимо напрежение
3.3 V ± 5% Допустимо напрежение
Надеждност (MTBF)
Надеждност от 1,5 милиона часа (MTBF)
Работна температура
0 - 70 ℃ Работна температура
шок
1,500 G & 0,5 ms (половин синус)

аксесоари

Инсталационен комплект
Не е наличен

Софтуер

Управление SW
Магьосник Софтуер за SSD управление



Виж още SSD дискове Samsung